硅片(pian)是一種(zhong)重(zhong)要的(de)半導體材(cai)料，被廣泛應用于(yu)電(dian)路制造、太陽能電(dian)池板(ban)等領域。加熱是硅片(pian)制備過(guo)程中(zhong)的(de)重(zhong)要步驟(zou)，它(ta)可(ke)以去除有機(ji)物和(he)氣泡，激活材(cai)料，調(diao)整形狀，增(zeng)強材(cai)料結構(gou)等，保證硅片(pian)的(de)表面純度(du)和(he)質(zhi)量(liang)，使其(qi)可(ke)以在各(ge)種(zhong)應用領域發揮(hui)出更好(hao)的(de)效果。
硅片到晶圓(yuan)的(de)(de)制(zhi)備過程中，加熱是至關重(zhong)要(yao)的(de)(de)步驟之一，其涉(she)及的(de)(de)工(gong)藝(yi)步驟較(jiao)多(duo)，一般(ban)包括以下幾個方面(mian)：
生長晶體(ti)：在生長晶(jing)體(ti)(ti)的過(guo)程中，需要將(jiang)硅材料熔化(hua)并加熱至一定溫度(du)，通過(guo)控制溫度(du)和時間(jian)，使得硅材料結晶(jing)并逐漸生長成晶(jing)體(ti)(ti)。
切割(ge)硅片：在生長出的(de)晶體(ti)中，需要通過(guo)切割的(de)方式將其(qi)分(fen)割成薄片(pian)，切割過(guo)程中需要對硅片(pian)進(jin)行加熱(re)，以保證切割質量和硅片(pian)的(de)完(wan)整(zheng)性(xing)。
半導體(ti)加工：硅片切割(ge)成(cheng)晶圓(yuan)后(hou)，需要進行半導體加工，包(bao)括清洗、沉積、光刻、蝕(shi)刻、離子注入等多個工藝(yi)步(bu)驟(zou)，其中不同的工藝(yi)步(bu)驟(zou)需要不同的加熱溫度和時間，以完成(cheng)各自的作用(yong)。
退(tui)火：在半導體(ti)加工(gong)過程中，為了消除晶(jing)(jing)格缺陷和改(gai)善晶(jing)(jing)體(ti)質量，需要進行退火處理(li)，即將晶(jing)(jing)圓加熱(re)至一定溫度并保持一定時間(jian)，使得晶(jing)(jing)體(ti)中的缺陷得以消除。
如(ru)果硅片(pian)加熱不(bu)均勻(yun)，可能會(hui)導致一系列問題：
晶格變形：硅片(pian)加(jia)熱不均勻會(hui)導致不同區域的晶格(ge)受到(dao)不同的應力，這可(ke)能會(hui)導致晶格(ge)發(fa)生(sheng)(sheng)變(bian)(bian)形(xing)或失(shi)序。晶格(ge)變(bian)(bian)形(xing)會(hui)影響硅片(pian)的晶體結構，可(ke)能會(hui)使(shi)其電學特(te)性發(fa)生(sheng)(sheng)變(bian)(bian)化，最終可(ke)能會(hui)導致硅片(pian)失(shi)效。
結構變化：硅(gui)片(pian)(pian)在不同(tong)的溫度(du)下膨脹和收縮，如果硅(gui)片(pian)(pian)加熱不均勻，就會(hui)導(dao)(dao)致硅(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)的厚度(du)和形狀不均勻，不符合設計(ji)要求(qiu)。此(ci)外，熱應力可能會(hui)導(dao)(dao)致硅(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)出現裂紋或毛(mao)刺等(deng)缺(que)陷。
產品(pin)質量下降：如(ru)果硅(gui)片加(jia)熱不(bu)均勻(yun)，就(jiu)會導致(zhi)制(zhi)造出的(de)硅(gui)片具(ju)有(you)不(bu)規則的(de)形狀、大小和厚(hou)度，這將(jiang)(jiang)降低(di)硅(gui)片的(de)產品質量。在生(sheng)產過程中，加(jia)熱不(bu)均勻(yun)的(de)硅(gui)片需要被棄用，這將(jiang)(jiang)導致(zhi)成本的(de)增加(jia)。
故障率增加(jia)：熱不均勻(yun)會導致(zhi)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)在某(mou)些區域受到(dao)高溫熱量，加速(su)了硅(gui)(gui)片(pian)(pian)中元(yuan)件的老化和失(shi)效(xiao)，甚(shen)至出(chu)現硅(gui)(gui)片(pian)(pian)整體性能下(xia)降到(dao)某(mou)種程(cheng)度無法繼續(xu)使用的情(qing)況。
如何解決半導(dao)體硅片（晶圓）加熱不均問題(ti)?
LONGPRO紅外線輻射加(jia)熱器
紅外線輻射加熱器經過朗普紅外線加熱數據庫以及光學運算，優化了熱源燈絲內部發光體結(jie)構、反光板結(jie)構以及陣列布燈，使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量，有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質量問題。因此，在電池制造業，半導體制造、電子元器件制造、陶瓷加工等行業中，紅外線輻射加熱器被廣泛應用。
1、通過優(you)化燈絲(si)熱能(neng)分布結構，做到類矩形加熱（常規為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場現象；
2、并通過朗普數據(ju)庫+光學運(yun)算，得出陣列布燈距高比；
3、通過背面(mian)拋光(guang)底板，進一步修正輻照場的均勻度；
4、通過電控系統和非接觸式測溫探頭，進行閉環控(kong)制，進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。
huangmin@LONGPRO.CN
廣州市荔灣區信義路 24 號 4 棟(dong) 123
朗普微信公眾號
朗普微博
點我咨詢
