晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)，也被稱為半導體晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)或(huo)硅晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)，是(shi)(shi)在半導體工業中廣泛應(ying)用的基(ji)礎材料之一。晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)加(jia)熱是(shi)(shi)半導體制造過(guo)(guo)程中的一個(ge)關鍵(jian)步驟(zou)(zou)，其目的是(shi)(shi)在制備(bei)集成(cheng)電路和其他半導體器件時對晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)進行(xing)必要的熱處理。這個(ge)過(guo)(guo)程中，晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)通常需(xu)要被均勻加(jia)熱到特定(ding)的溫(wen)度，以促使或(huo)優化后續的工藝步驟(zou)(zou)。
晶圓片加熱過程中要求晶圓表面的溫度分布盡可能均勻，以確保整個晶圓上的器件性能一致。不均勻的溫度分布可能導致器件性能差異，影響產品的質量。紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種晶圓片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（LONGPRO紅(hong)外線(xian)加(jia)熱(re)數(shu)據庫以(yi)及(ji)光學運(yun)算，優化了熱(re)源(yuan)燈(deng)絲內部發光體結構、反光板結構以(yi)及(ji)陣(zhen)列布(bu)燈(deng)，使被加(jia)熱(re)表面接(jie)受均值(zhi)的(de)(de)紅(hong)線(xian)輻射能量(liang)，有效降低(di)了溫度不(bu)均帶來的(de)(de)不(bu)良工藝質(zhi)量(liang)問題）。
于是我們根據客戶需(xu)求量身定制了加(jia)熱方案：
1、優(you)化燈絲熱能分布結構： 我們通過改進燈絲(si)的熱(re)能分布結構，實現(xian)了類矩形加熱(re)，相較(jiao)于傳統的雙尖(jian)形加熱(re)方式，有效減(jian)少了中間區域的熱(re)聚集，避免了兩(liang)端(duan)溫度不(bu)均勻(yun)的問題。
2、LONGPRO數(shu)據(ju)庫+光(guang)學(xue)運算： 利用LONGPRO數(shu)據庫和光學(xue)運算(suan)(suan)，我們精確(que)計算(suan)(suan)出(chu)陣列布燈的距離與高度比例，以確(que)保在晶圓表(biao)面均勻分布的紅外輻射能(neng)量(liang)，進一步(bu)提升加熱效果。
3、背面弧形光(guang)學反光(guang)曲(qu)率設計： 我們(men)采用背面弧形光學反光曲率設計，對(dui)輻照(zhao)場(chang)(chang)進行修正，進一步提高了(le)整個加(jia)熱場(chang)(chang)的(de)均(jun)勻性，避(bi)免了(le)不均(jun)勻的(de)輻射熱場(chang)(chang)現象。
4、精(jing)確的溫度控(kong)制系統：我們配備(bei)了先進的電控系統和非接觸式測溫探頭(tou)，實(shi)現了閉環控制。這意味著(zhu)我們能夠(gou)實(shi)時監測晶圓表面的溫度，快速響應并調整加熱(re)功率，以減少溫度過(guo)沖或不(bu)足，從(cong)而有效預防可能導致工藝問(wen)題的溫度波動。
方案優勢
紅外線輻照均勻，精度誤差：≤±5%
通過這一系(xi)列的定制化優化，我們確保了晶圓在(zai)加熱(re)過程中(zhong)達(da)到所(suo)需的溫度(du)，并在(zai)整個加熱(re)周期內保持了高(gao)度(du)的穩定性，從而提高(gao)了加熱(re)效率和工(gong)藝(yi)可控性。
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