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晶圓硅片紅外均勻加熱

日期：2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇州(zhou)，大連以及無錫的(de)(de)客戶(hu)群體，需要將8寸晶圓外(wai)表面均勻加熱(re)(re)到一定溫度，對加熱(re)(re)要求(qiu)極高，以實現加熱(re)(re)后在下一工序中(zhong)達到更好的(de)(de)效果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（朗普紅外線加(jia)(jia)熱數據庫以(yi)及(ji)光(guang)學(xue)運算，優化了(le)熱源(yuan)燈(deng)絲內部發光(guang)體結構、反光(guang)板結構以(yi)及(ji)陣列布燈(deng)，使(shi)被加(jia)(jia)熱表面接受均值的(de)紅線輻射能(neng)量(liang)(liang)，有效(xiao)降低了(le)溫度不均帶(dai)來的(de)不良工藝質量(liang)(liang)問題）。

客戶(hu)加熱要求：

1、在直徑φ200加熱范圍內(nei)溫度均勻性(xing)盡(jin)量高，溫度一致性(xing)≤±6℃

2、出具加熱模擬方案及(ji)熱分布模擬結果報告。

3、加熱迅速(su)，300秒內(nei)加熱對象，能快速(su)升溫200至(zhi)400℃。

?紅外線加熱拓撲圖.png

于是我(wo)們(men)根據客戶需(xu)求量(liang)身定制(zhi)了加熱(re)方案：

1，通過優化燈絲熱(re)能分(fen)布(bu)結構，做到類矩形加熱（常規為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場現象；

2，并通過朗普數據庫+光(guang)學(xue)運算，得出陣列布燈距高比；

3，通過背面(mian)弧形光學反光曲率(lv)設計，進一步修正輻照場的均勻度；

4，通過電控系統和非接觸式測溫探頭，進行閉環控(kong)制，進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg