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晶圓硅片紅外均勻加熱

日期:2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇州,大連以及無錫的客戶群體,需要將8寸晶圓外表面均勻加熱到一定溫度,對加熱要求極高,以實現(xiàn)加熱后在下一工序中達到更好的效果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點,適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器(朗普紅外線加熱數(shù)據(jù)庫以及光學(xué)運算,優(yōu)化了熱源燈絲內(nèi)部發(fā)光體結(jié)構(gòu)、反光板結(jié)構(gòu)以及陣列布燈,使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量,有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質(zhì)量問題)。

客戶加熱要求:

1、在直徑φ200加熱范圍內(nèi)溫度均勻性盡量高,溫度一致性≤±6℃

2、出具加熱模擬方案及熱分布模擬結(jié)果報告。

3、加熱迅速,300秒內(nèi)加熱對象,能快速升溫200至400℃。

?紅外線加熱拓撲圖.png

于是我們根據(jù)客戶需求量身定制了加熱方案:

1,通過優(yōu)化燈絲熱能分布結(jié)構(gòu),做到類矩形加熱(常規(guī)為雙尖形),減少中間聚熱,兩頭冷的不均勻熱場現(xiàn)象;

2,并通過朗普數(shù)據(jù)庫+光學(xué)運算,得出陣列布燈距高比;

3,通過背面弧形光學(xué)反光曲率設(shè)計,進一步修正輻照場的均勻度;

4,通過電控系統(tǒng)和非接觸式測溫探頭,進行閉環(huán)控制,進一步減少溫度過沖或者加熱不足導(dǎo)致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg